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      三星、SK海力士啟動新一輪NAND閃存擴(kuò)產(chǎn)

      2026-02-04 10:04:59來源:OFweek半導(dǎo)體網(wǎng) 關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體存儲芯片閱讀量:23182

      導(dǎo)讀:據(jù)最新消息,三星電子和SK海力士兩家公司計劃在今年第二季度推進(jìn)尖端NAND閃存的轉(zhuǎn)換投資,其中三星電子正在討論的投資規(guī)模約為每月4萬至5萬片晶圓,預(yù)計明年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
        全球半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正式打響尖端NAND閃存產(chǎn)能爭奪戰(zhàn)。據(jù)最新消息,兩家公司計劃在今年第二季度推進(jìn)尖端NAND閃存的轉(zhuǎn)換投資,其中三星電子正在討論的投資規(guī)模約為每月4萬至5萬片晶圓,預(yù)計明年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
       
        過去長期把資源優(yōu)先投向DRAM的兩大巨頭,如今正積極調(diào)整戰(zhàn)略布局,應(yīng)對AI服務(wù)器需求激增帶來的存儲芯片市場新變化。
       
        三星電子與SK海力士此次的轉(zhuǎn)換投資決策,標(biāo)志著存儲芯片巨頭戰(zhàn)略重心正在發(fā)生微妙變化。過去,由于市場需求不足,兩家公司的設(shè)備投資幾乎全部集中在DRAM領(lǐng)域,NAND投資計劃一再推遲。
       
        三星電子在2024年9月就已啟動280層V9 NAND量產(chǎn),但當(dāng)時只在平澤園區(qū)部署了初期量產(chǎn)線,月產(chǎn)能僅約15000片晶圓。如今,隨著AI產(chǎn)業(yè)推動存儲需求快速上升,三星正在加速擴(kuò)大V9產(chǎn)能,重點放在中國西安的X2產(chǎn)線。
       
        SK海力士也展現(xiàn)出強(qiáng)勁的擴(kuò)產(chǎn)勢頭。該公司計劃在今年第二季度啟動321層第9代NAND的轉(zhuǎn)換投資,目標(biāo)是在清州M15實現(xiàn)月產(chǎn)約3萬片晶圓的V9產(chǎn)能。與目前約2萬片晶圓的水平相比,這次擴(kuò)產(chǎn)力度相當(dāng)大。
       
        半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一場由AI驅(qū)動的存儲革命。業(yè)內(nèi)消息人士透露,隨著AI服務(wù)器需求達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的3倍,NAND市場正在快速出現(xiàn)供應(yīng)緊張跡象。
       
        在層數(shù)競賽方面,三星電子正全力沖刺400多層的V10 NAND。三星已計劃在2026年量產(chǎn)430層V10架構(gòu)NAND閃存,這一技術(shù)領(lǐng)先地位是其在激烈市場競爭中的核心籌碼。
       
        SK海力士則做出了一個頗具顛覆性的決定:在300層NAND節(jié)點提前導(dǎo)入混合鍵合。這原本被業(yè)界認(rèn)為會在400層之后才會啟動的技術(shù),如今被海力士提前一代拉入量產(chǎn)路線。
       
        混合鍵合正成為各大NAND廠商競爭的焦點。隨著層數(shù)不斷攀升,傳統(tǒng)架構(gòu)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。當(dāng)NAND層數(shù)突破300層后,傳統(tǒng)的單片制造架構(gòu)開始遭遇系統(tǒng)性瓶頸。
       
        三星已宣布將在2030年開發(fā)出1000層NAND閃存。隨著AI技術(shù)革新,存儲器市場轉(zhuǎn)變?yōu)樾履J剑枨箝_始擴(kuò)散到所有產(chǎn)品領(lǐng)域。
       
        全球存儲芯片市場的競爭已從簡單的層數(shù)競賽,轉(zhuǎn)向架構(gòu)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)鏈整合和生態(tài)建設(shè)的全方位競爭。
       
        目前中國NAND閃存市場份額已達(dá)33%,以470億美元總規(guī)模坐穩(wěn)全球第二大存儲器市場寶座。產(chǎn)能擴(kuò)張背后是巨大的市場需求。SK海力士表示,已經(jīng)為2026年鎖定所有的DRAM和NAND客戶需求。
       
        隨著2026年第二季度轉(zhuǎn)換投資的啟動,三星和SK海力士的NAND擴(kuò)產(chǎn)競賽將進(jìn)入實質(zhì)性階段。三星計劃在2026年量產(chǎn)430層V10 NAND,而SK海力士則計劃于2026年底推出AI NAND樣品。
       
        市場分析認(rèn)為,存儲芯片行業(yè)正迎來新一輪增長周期。2025年底,AI需求增長導(dǎo)致HBM供應(yīng)短缺,超大規(guī)模云服務(wù)商加大采購力度,加劇了市場價格上漲和消費級市場供應(yīng)緊張狀況。
       
        存儲世界的未來,不只在層數(shù)疊加,更在創(chuàng)新布局。當(dāng)AI掀起的數(shù)據(jù)洪流席卷而來,三星與SK海力士的產(chǎn)能博弈才剛剛開始。正如行業(yè)變革中常說的:“預(yù)測未來最好的方式就是創(chuàng)造它。”在這場存儲芯片的軍備競賽中,真正的贏家將是那些既能仰望技術(shù)星空又能腳踏實地滿足市場需求的企業(yè)。
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        存儲芯片AI服務(wù)器數(shù)據(jù)中心
        2026-03-02 09:57:55
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        必易微傳感器芯片半導(dǎo)體
        2026-02-27 10:12:24
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        上峰水泥半導(dǎo)體
        2026-02-26 11:59:14
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        2026-02-22 09:15:34
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        2026-02-06 14:41:37
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        半導(dǎo)體景旺電子
        2026-02-05 09:49:16
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