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發(fā)那科/FANUC
2月28日消息，國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心發(fā)文稱，2025年9月至今，受需求“爆發(fā)式”增長、產(chǎn)能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續(xù)上漲，近1個月多以來，漲幅呈現(xiàn)擴大態(tài)勢，建議關(guān)注存儲芯片對下游價格的影響。
一、近期存儲芯片價格大幅快速上漲
調(diào)研反映，截至今年1月，存儲芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND閃存價格均創(chuàng)2016年有數(shù)據(jù)以來最高。
以主流型號為例，1月DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合約平均價格為11.5美元，比上月上漲約24%，比2025年9月上漲約83%；NAND閃存(128Gb 16G*8 MLC)合約平均價格為9.5美元，比上月上漲約65%，比2025年9月上漲近1.5倍。
從上漲原因來看，存儲芯片價格上漲主要受到需求“爆發(fā)式”增長、產(chǎn)能“斷崖式”緊缺以及下游“恐慌性”囤貨等因素影響。
一是AI算力增長帶動高端存儲需求增加。
集邦咨詢預(yù)計，2026年全球AI服務(wù)器出貨量同比增長超28%，加上單臺AI服務(wù)器的內(nèi)存需求達到傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍左右，AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心對高帶寬、大容量存儲芯片的需求將呈“爆發(fā)式”增長。
同時，2025年四季度以來，智能手機等電子產(chǎn)品新款集中上市，對消費級存儲需求有所支撐。
二是存儲巨頭生產(chǎn)策略疊加產(chǎn)能周期的剛性約束，加劇市場供應(yīng)緊張。
三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷了全球90%以上的DRAM產(chǎn)能，頭部廠商采取“減產(chǎn)保價”“棄低追高”策略，將80%以上先進產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利率的高帶寬內(nèi)存，減少成熟制程的產(chǎn)能比重，導(dǎo)致消費級存儲芯片供應(yīng)緊缺。
同時，存儲芯片擴產(chǎn)周期長，晶圓廠建設(shè)需1.5—2年，新增產(chǎn)能短期內(nèi)難以釋放。
三是硅片、六氟化鎢、金屬等原材料價格上漲從成本端提供一定支撐。
2025年，12英寸硅片、六氟化鎢、銀、銅等芯片制造原材料價格不同幅度上漲。
此外，隨著市場看漲情緒升溫，消費電子、AI服務(wù)器廠商、智能汽車等下游領(lǐng)域的恐慌囤貨也對近期價格走高起到推波助瀾作用。
二、存儲芯片價格上漲將向下游傳導(dǎo)
當(dāng)前，存儲芯片正處于上漲周期。年內(nèi)來看，在AI服務(wù)器算力需求持續(xù)增長的帶動下，全球存儲芯片市場供不應(yīng)求局面仍將持續(xù)，存儲芯片價格將延續(xù)上漲態(tài)勢。
存儲芯片價格上漲正逐步傳導(dǎo)至消費電子終端產(chǎn)品。隨著AI應(yīng)用滲透率提升，消費者對高端化、智能化的消費電子產(chǎn)品的偏好增強，消費升級趨勢明顯，對內(nèi)存性能的要求更高。
廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限，上調(diào)終端價格將成為普遍趨勢。
目前聯(lián)想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發(fā)布調(diào)價函，漲幅普遍在500~1500元之間，小米、vivo等國產(chǎn)新發(fā)售機型相同存儲配置版本價格較上一代上漲300—500元。
受存儲芯片價格上漲及對下游的傳導(dǎo)影響，PPI方面，計算機、通信及其他電子設(shè)備制造業(yè)分項價格有望止跌企穩(wěn)，對PPI的拖累作用有所減弱。
CPI方面，疊加提振消費政策效果持續(xù)顯現(xiàn)，通訊工具分項價格將繼續(xù)回升。
浙公網(wǎng)安備 33010602000006號
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