IGBT模塊簡介

IGBT

模塊簡介

    IGBT

是

Insulated Gate Bipolar Transistor

（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，

IGBT

是由

MOSFET

和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為

MOSFET

，輸出極為

PNP

晶體

管，它融和了這兩種器件的優點，既具有

MOSFET

器件驅動功率小和開關速度快的優點，又

具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于

MOSFET

與功率晶體管之間，

可正常工作于幾十

kHz

頻率范圍內，

在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，

在較

高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

    IGBT

的等效電路如圖

1

所示。由圖

1

可知，若在

IGBT

的柵極

G

和發射極

E

之間加上驅

動正電壓，則

MOSFET

導通，這樣

PNP

晶體管的集電極

C

與基極之間成低阻狀態而使得晶體

管導通；

若

IGBT

的柵極和發射極之間電壓為

0V

，

則

MOS 

截止，

切斷

PNP

晶體管基極電流的

供給，使得晶體管截止。

IGBT

與

MOSFET

一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極

G

—發射極

E

間施加十幾

V

的直流電壓，只有在

uA

級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

圖

1 IGBT

的等效電路

2 IGBT

模塊的選擇

    IGBT

模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系

見下表。使用中當

IGBT

模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損

耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用

IGBT

模塊時額定電流應大于負載電流。特別是

用作

高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，

選用時應該降溫等使用。

3 

使用中的注意事項

由于

IGBT

模塊為

MOSFET

結構，

IGBT

的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由

于此氧化膜很薄，其

擊穿電壓一般達到

20

～

30V

。因此

因靜電而導致柵極擊穿是

IGBT

失效

的常見原因之一

。因此使用中要注意以下幾點：