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普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！
功率器件短路測試電源脈沖恒流源優勢
50~500us的脈沖寬度連續可調；
同步測量電壓；
單臺較大可達1000A輸出；
可極性反轉；
0.1%測試精度；
簡述
高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。可廣泛應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設備可以獨立完成“電流-導通電壓"掃描測試。
器件 | 測試項 |
肖特基二極管，整流橋堆 | 瞬時前向電壓 |
IGBT器件 | IGBT導通壓降、鍵合線阻抗 |
IGBT模塊，IPM模塊 | IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓、鍵合線阻抗 |
技術指標
項目 | 參數 |
電流脈寬 | 50μs~500μs |
脈沖電流上升沿時間 | 典型時間15μs |
輸出脈沖電流 | 5A~1000A量程，精度0.1%FS±1A |
輸出負載電壓要求 | <12V@1000A |
DUT電壓測量 | 2獨立通道 |
遠端測量，峰值電壓測量（取樣點可配置） | |
0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV | |
0~3V量程，精度0.1%±3mV | |
0~18V量程，精度0.1%±8mV | |
電流脈沖輸出間隔時間 | 1秒 |
電流脈沖峰值功率 | <12kW |
多設備并聯 | 支持多設備并聯輸出超大電流，如3000A |
輸出極性反轉 | 支持 |
觸發信號 | 支持trig in及trig out |
通訊接口 | RS232、LAN |
輸入電壓 | 90~264VAC、50/60Hz |
輸入功率 | <750W |
尺寸 | 長516 x寬220 x高160mm |
功率器件短路測試電源脈沖恒流源應用領域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發、生產與銷售的研發型高新技術企業。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力，聯合更多行業客戶，共同助力我國第三代半導體行業高可靠高質量發展。
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