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武漢普賽斯儀表有限公司
| 集電極-發射極 蕞大電壓 | 1200V(蕞大支持3500V) | 集電極-發射極 蕞大電流 | 400A(蕞大支持2000A) |
|---|---|---|---|
| 大電流脈寬 | 50μs~500μs | 漏電流測試范圍 | 100pA-20mA |
ATE3146功率芯片靜態參數測試機可按需搭配板卡采用PXIe通信架構方案,支持板卡靈活擴展與高精度電學特性分析;支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出,且蕞大可擴展至3500V、2000A;可與探針臺(Prober)、分選機(Handler)等外設聯機使用,應用于半導體產線KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分選測試
普賽斯ATE-3146靜態測試機是一款專注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態參數測試系統;采用PXIe通信架構方案,支持板卡靈活擴展與高精度電學特性分析;支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出,且蕞大可擴展至3500V、2000A;可與探針臺(Prober)、分選機(Handler)等外設聯機使用,應用于半導體產線KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分選測試。
產品特點:
單工站MOS DC IV參數測試UPH高達9K(注:單工站,7個DC IV測試項)
單臺主機支持3工站IV+CV或4工站IV并行測
專用于Si/SiC MOSFET、二極管、三極管、IGBT等KGD、DBC及FT測試
采用PXIe板卡架構,可根據需求靈活搭配板卡實現精準把控測試成本
單卡高達2G局部通信總線帶寬支持PXIe,TrigBus同步觸發支持高達8線局部總線同步
6U標準板卡兼容3U板卡
提供單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出能力
支持擴展高壓、高流模組,蕞高可達3500V/2000A
內置精密測量電路,實現皮安級和uΩ級的精準測量
CV測試中速模式下基本精度高達0.05%
測試項目
二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd
三極管:V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN FET:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs

系統組成
普賽斯ATE-3146靜態測試機,主要包括測試主機及板卡,測試夾具,工控機、上位機軟件等構成。整套系統采用普賽斯自主開發的測試主機,內置高壓模塊,低壓模塊,高流模塊,電容模塊、高壓采集卡、DIO卡等。 配合探針臺Prober、分選機Handler可以實現KGD裸芯片,DBC測試,FT測試等。結合專用上位機測試軟件,可根據測試項目需要,設置不同的電壓、電流等參數,以滿足不同測試需求。測試數據可保存與導出,支持各類格式。
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