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      行業產品

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      深圳市華科智源科技有限公司


      SiC器件參數測試儀

      返回列表頁

      參   考   價: 1

      訂  貨  量: ≥1 臺

      具體成交價以合同協議為準

      產品型號HUSTEC-1600A-MT

      品       牌其他品牌

      廠商性質生產商

      所  在  地深圳市

      聯系方式:陳經理查看聯系方式

      更新時間:2026-03-04 17:02:40瀏覽次數:5次

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      產品簡介

      SiC器件參數測試儀,測試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態參數,并生產器件傳輸曲線和轉移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于器件設計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機等行業的IGBT來料選型和失效分析。

      詳細介紹

      HUSTEC華科智源

      HUSTEC-1600A-MT

      SiC器件參數測試儀


      一:SiC器件參數測試儀主要特點

      華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機行業的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試;


      SiC器件參數測試儀測試參數:

      ICES  集電極-發射極漏電流

      IGESF 正向柵極漏電流

      IGESR 反向柵極漏電流

      BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

      VGETH 柵極-發射極閾值電壓

      VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

      ICON 通態電極電流

      VGEON 通態柵極電壓

      VF 二極管正向導通壓降

      整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。


      二:華科智源SiC器件參數測試儀應用范圍

      A:IGBT單管及模塊,

      B:大功率場效應管(Mosfet)

      C:大功率二極管

      D:標準低阻值電阻

      E:軌道交通,風力發電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業篩選以及在線故障檢測


      三、華科智源SiC器件參數測試儀特征:

      A:測量多種IGBT、MOS管

      B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

      C:脈沖寬度 50uS~300uS

      D:Vce測量精度2mV

      E:Vce測量范圍>10V

      F:電腦圖形顯示界面

      G:智能保護被測量器件

      H:上位機攜帶數據庫功能

      I:MOS IGBT內部二極管壓降

      J : 一次測試IGBT全部靜態參數

      K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

      L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態,或者不同廠家同一規格參數的曲線對比;

      序號

      測試項目

      描述

      測量范圍

      分辨率

      精度

      1

      VF

      二極管正向導通壓降

      0~20V

      1mV

      ±1%,±1mV

      2

      IF

      二極管正向導通電流

      0~1200A

      ≤200A時,0.1A

      ≤200A時,±1%±0.1A

      3

      >200A時,1A

      >200A時,±1%

      4

      Vces

      集電極-發射極電壓

      0~5000V

      1V

      ±1%,±1V

      5

      Ic

      通態集電極電流

      0~1200A

      ≤200A時,0.1A

      ≤200A時,±1%±0.1A

      6

      >200A時,1A

      >200A時,±1%

      7

      Ices

      集電極-發射極漏電流

      0~50mA

      1nA

      ±1%,±10μA

      8

      Vgeth

      柵極-發射極閾值電壓

      0~20V

      1mV

      ±1%,±1mV

      9

      Vcesat

      集電極-發射極飽和電壓

      0~20V

      1mV

      ±1%,±1mV

      10

      Igesf

      正向柵極漏電流

      0~10uA

      1nA

      ±2%,±1nA

      11

      Igesr

      反向柵極漏電流

      12

      Vges

      柵極發射極電壓

      0~40V

      1mV

      ±1%,±1mV






















      測試參數:

      ICES  集電極-發射極漏電流

      IGESF 正向柵極漏電流

      IGESR 反向柵極漏電流

      BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

      VGETH 柵極-發射極閾值電壓

      VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

      ICON 通態電極電流

      VGEON 通態柵極電壓

      VF 二極管正向導通壓降

      IGBT靜態參數測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用


      1) 物理規格

      設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

      質量:30kg

      2) 環境要求

      海拔高度:海拔不超過 1000m;

      儲存環境:-20℃~50℃;

      工作環境:15℃~40℃。

      相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

      大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

      防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

      3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

      電網頻率:50Hz±1Hz

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