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型號: CS10F-250 面議
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新到22只ABB模塊,5SNA1500E330305,*,正在*中,歡迎選購
值此春節(jié)來臨之際,我司于2015年2月10日---2月24日放假,感謝新老客戶以往對我司的大力支持,預祝新春愉快!!!
雙向可控硅的工作原理:1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此
發(fā)光二極管通常稱為LED,它們雖然名不見經(jīng)傳,卻是電子世界中真正的英雄。它們能完成數(shù)十種不同的工作,并且在各種設備中都能找到它們的身影。它們用途廣泛,例如它們可以組成電子鐘表表盤上的數(shù)字,從遙控器傳輸
IGBT簡單來說就是一三極管。是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式電力半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓
1979年,MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,用于功率MOS
工控摘要:根據(jù)中國經(jīng)濟發(fā)展的情況來看,目前制約中國經(jīng)濟發(fā)展的四大熱點問題是油、電、煤、運。而煤-運-電,這又是一條互相制約、協(xié)調(diào)發(fā)展的經(jīng)濟鏈。因此在未來幾年內(nèi),節(jié)能、節(jié)電、環(huán)保工作將會提到政府的工作日
您好,我司近來有大量熱賣庫存,產(chǎn)品如下:SKM40GD123D,SKM22GD123D,SKKQ560/14E,SKKQ800/14E,SKKQ800/18E,SKKQ1200/14E,SKKQ120
提出選擇和安裝過程中應該注意的方面,對IGBT的特性注意事項進行了研討。1IGBT模塊簡介相信大家都知道IGBT是絕緣柵雙極型晶體管縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu).IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要
英飛凌IGBT模塊的散熱設計英飛凌IGBT模塊的運行溫度范圍是非常重要的參數(shù),一些設備要求工作在室溫下,而另一些設備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對于系統(tǒng)的可靠和有效運
一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)?晶閘管又叫可控硅。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使
晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電
近幾年西門子在工業(yè),能源,醫(yī)療,城市基礎設施等領域世界。西門子是世界上zui大的電氣和電子公司之一,歷經(jīng)150年來常盛不衰,其營業(yè)收入在2003年列財富500強第21位,在電子電氣類公司中更是名列。在
可控硅又稱晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向可控硅、雙向可控硅、光控可控硅、逆導可控硅、可
在保管IGBT模塊時應注意的事項:1、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;2、一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態(tài),不應偏離
北京萬豐興業(yè)科技有限公司專業(yè)代理東芝IGBT模塊,三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊,西門康IGBT模塊等德國,歐洲、美國、日本等經(jīng)銷品牌功率器件模塊歡迎經(jīng)銷商、廠商來電咨詢!公司一直本著“質(zhì)量保證,價格合理,交貨快捷,客戶*”的經(jīng)營宗旨,公司貨源一手,在廣大用戶的大力支持下,業(yè)務日益發(fā)展。公司經(jīng)營的電力功率模塊,主要用于電機調(diào)速,礦山焊機,船舶艦艇,變頻設備等高科 技領域。
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